商品名稱:IXXK100N60C3H1
數(shù)據(jù)手冊:IXXK100N60C3H1.pdf
品牌:IXYS
年份:23+
封裝:TO-264-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IXXK100N60C3H1 600V IGBT器件采用最先進(jìn)的GenX3?IGBT工藝和極輕穿通(XPT?)設(shè)計(jì)平臺制造,具有高電流處理能力、高速開關(guān)能力、低總能量損耗和低電流下降時間。該IGBT具有正的集電極-發(fā)射極電壓溫度系數(shù),使設(shè)計(jì)人員可以并聯(lián)使用多個器件來滿足高電流要求。
規(guī)格
IGBT 類型:PT
電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):170 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):340 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,70A
功率 - 最大值:695 W
開關(guān)能量:2mJ(開),950μJ(關(guān))
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷:150 nC
25°C 時 Td(開/關(guān))值:30ns/90ns
測試條件:360V,70A,2 歐姆,15V
反向恢復(fù)時間 (trr):140 ns
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA
供應(yīng)商器件封裝:TO-264(IXXK)
基本產(chǎn)品編號:IXXK100
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國硅谷,1983年成立,主營:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率,涵蓋了…
IXFX230N20T
IXFX230N20T是一款高性能功率 MOSFET,專為高電流和高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。VUO36-16NO8
VUO36-16NO8是一款高性能三相橋式整流器,專為高電壓、高電流的應(yīng)用場景設(shè)計(jì)。IXSH80N120L2KHV
IXSH80N120L2KHV是一款1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管,其導(dǎo)通電阻(RDS(on))為30mΩ,這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,器件的電阻較小,有助于減少能量損耗。該IXSH80N120L2KHV器件適用于需要高效率、快速開關(guān)和低損耗的應(yīng)用,如車載充電器、電動汽車/混合動力汽車的DC/DC變換…IXSH40N120L2KHV
IXSH40N120L2KHV是一款工業(yè)級SiC MOSFET,其耐壓值為1200V,具有低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)特性,適用于高功率應(yīng)用場景。IXSH40N120L2KHV具有較低的導(dǎo)通電阻,有助于減少能量損耗,提高系統(tǒng)效率?。技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品:IXSH40N120L2KHV封裝 / 箱體:TO-247-4L晶體管極性:N-Channel…IXSA80N120L2-7
IXSA80N120L2-7是一款工業(yè)級、單開關(guān)SiC MOSFET,具有低損耗、快速切換的特性,適用于高速度工業(yè)開關(guān)模式電源供應(yīng)。主要特性低導(dǎo)通損耗?:IXSA80N120L2-7的導(dǎo)通損耗非常低,具體為30m?。低柵極驅(qū)動功率要求?:柵極驅(qū)動電壓范圍為-3/+15到18V。低熱管理需求?:該MOSFE…IXSA40N120L2-7
IXSA40N120L2-7是一款工業(yè)級單管碳化硅MOSFET(SiC MOSFET),具有優(yōu)異的功率循環(huán)特性和快速、低損耗的開關(guān)行為。應(yīng)用領(lǐng)域IXSA40N120L2-7適用于多種高功率和高頻率的應(yīng)用場景,包括:太陽能逆變器開關(guān)模式電源不間斷電源電機(jī)驅(qū)動DC/DC轉(zhuǎn)換器電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施感應(yīng)加熱…電話咨詢:86-755-83294757
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