商品名稱:STFW8N120K5
數(shù)據(jù)手冊:STFW8N120K5.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:TO-3PF
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
STFW8N120K5 是采用 TO-3PF 封裝的 N 溝道 1200 V、1.65 Ω typ.、6 A、MDmesh K5 功率 MOSFET 晶體管。它顯著降低了導通電阻和超低柵極電荷,適用于要求高功率密度和高效率的應用。
產品屬性
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 1200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 6A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 2 歐姆 @ 2.5A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 13.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 505 pF @ 100 V
功率耗散(最大值) 48W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-3PF
封裝/外殼 TO-3P-3
產品特性
業(yè)界最低的 RDS(on) x 面積
業(yè)界最佳的 FoM(優(yōu)點系數(shù))
超低柵極電荷
100% 雪崩測試
齊納保護
應用
開關應用
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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