商品名稱:IMZA65R057M1H
數(shù)據(jù)手冊:IMZA65R057M1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TO247-4-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IMZA65R057M1H 是在英飛凌 20 多年來開發(fā)的固體硅碳化硅技術(shù)基礎(chǔ)上制造的。利用寬帶隙 SiC 材料的特性,650VCoolSiC?MOSFET 充分利用了寬帶隙 SiC 材料的特性,在性能、可靠性和易熔性方面實現(xiàn)了獨特的組合。它適用于高溫和高濕度操作,可實現(xiàn)最簡化、最經(jīng)濟、最高系統(tǒng)效率的部署。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):35A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):74 毫歐 @ 16.7A,18V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5.7V @ 5mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):28 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+20V,-2V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):930 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):133W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-4-3
應(yīng)用
● SMPS
● UPS(不間斷電源)
● 太陽能光伏逆變器
● 電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施
● 儲能和電池信息
● 類放大器
型號
品牌
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數(shù)量
描述
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