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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號(hào):IPB60R060P7

商品名稱:IPB60R060P7

數(shù)據(jù)手冊(cè):IPB60R060P7.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:PG-TO263-3

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號(hào)
IPB60R060P7
封裝
PG-TO263-3
描述
表面貼裝型 N 通道 600 V 48A(Tc) 164W(Tc) PG-TO263-3

產(chǎn)品描述

CoolMOS? 第 7 代平臺(tái)是用于高電壓功率 MOSFET 的革命性技術(shù)。(SJ)原理設(shè)計(jì),并由英飛凌技術(shù)公司率先推出。IPB60R060P7是繼 CoolMOS?P6 系列之后的又一成功產(chǎn)品。它將快速開關(guān) SJMOSFET 的優(yōu)點(diǎn)與出色的易用性結(jié)合在一起,例如非常容易使用。它結(jié)合了快速開關(guān) SJMOSFET 的優(yōu)點(diǎn)和出色的易用性,如極低的繞組延時(shí)、出色的本體穩(wěn)健性、抗劇烈突變的二極管和出色的 ESD 能力。


產(chǎn)品屬性

FET 類型:N 通道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):600 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):48A(Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):60 毫歐 @ 15.9A,10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4V @ 800μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):67 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):2895 pF @ 400 V

功率耗散(最大值):164W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-3

封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

相關(guān)聯(lián)產(chǎn)品

型號(hào)

品牌

封裝

數(shù)量

描述

IPDQ60R020CFD7

INFINEON

PG-HDSOP-22

3000

600V CoolMOS? CFD7 功率晶體管,PG-HDSOP-22

NVMFD5C672NLT1G

ON

8-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFD5C466NWFT1G

ON

8-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFS5C680NLWFT1G

ON

5-DFNW

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFS5C442NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFS5C468NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C670NLTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C673NLTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C471NLWFTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C453NLTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

常見問題

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INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…

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