商品名稱：NGTB30N120L2WG
數據手冊：
NGTB30N120L2WG.pdf
品牌：ON
年份：23+
封裝：TO-247-3
貨期：全新原裝
庫存數量：2000 件
NGTB30N120L2WG 采用堅固耐用、低成本的現(xiàn)場停止 II 溝道結構，在要求苛刻的開關應用中性能優(yōu)越，具有低導通電壓和最小開關損耗的特點。該 IGBT 非常適合電機驅動器應用。該器件內置了一個軟、快、低正向電壓的共封裝自由輪轉二極管。
特點
采用場截止技術的極高效溝道
TJmax = 175°C
軟快速反向恢復二極管
針對低 VCEsat 進行了優(yōu)化
10 μs 短路能力
這些器件均為無鉛器件
應用
電機驅動逆變器
工業(yè)開關
焊接
型號
品牌
封裝
數量
描述
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UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
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