商品名稱:S25FL064LABBHM023
數(shù)據(jù)手冊:S25FL064LABBHM023.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:24-TBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
S25FL064LABBHM023 NOR閃存系列采用65nm工藝光刻和浮柵技術(shù)。FL-L系列通過串行外設(shè)接口(SPI)連接到主機(jī)系統(tǒng)。FL-L系列支持傳統(tǒng)的SPI單位(單I/O或SIO)以及可選的2位(雙I/O或DIO)。此外,它還支持4位寬四I/O (QIO) 和四外設(shè)接口 (QPI) 命令。
特性
多I/O串行外設(shè)接口 (SPI)
時鐘極性和相位模式0和3
雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)選項
四外設(shè)接口(QPI)選項
擴(kuò)展尋址:24位或32位地址選項
與S25FL-A、S25FL1-K、S25FL-P、S25FL-S和S25FS-S SPI系列兼容的串行命令子集和足跡
與S25FL-P、S25FL-S和S25FS-S SPI系列兼容的多I/O命令子集和足跡
讀取
命令:正常、快速、雙I/O、四I/O、雙O、四O、DDR四I/O
模式:突發(fā)回環(huán)、連續(xù)(XIP)、QPI
串行閃存可發(fā)現(xiàn)參數(shù)(SFDP),用于配置信息
程序架構(gòu)
256字節(jié)頁編程緩沖器3.0V FL-L 閃存
程序暫停和恢復(fù)
擦除架構(gòu)
統(tǒng)一4KB扇區(qū)擦除
統(tǒng)一32KB半塊擦除
統(tǒng)一64KB塊擦除
芯片擦除
擦除暫停和恢復(fù)
100,000次程序擦除周期
數(shù)據(jù)保留20年
典型技術(shù)
65nm浮柵技術(shù)
安全特性
狀態(tài)和配置寄存器保護(hù)
四個256字節(jié)安全區(qū)域,均位于主閃存陣列外部
傳統(tǒng)塊保護(hù):塊范圍
單個和區(qū)域保護(hù)
單個塊鎖定:易失性單個扇區(qū)/塊
指針區(qū)域:非易失性扇區(qū)/塊范圍
電源鎖定、密碼或永久保護(hù)安全區(qū)域2和3以及指針區(qū)域
單電源電壓,帶CMOS I/O
2.7V至3.6V
溫度范圍:工業(yè)型(-40°C至+85°C)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
24-TBGA
1000
FLASH - NOR(SLC) 存儲器 IC 64Mbit SPI - 四 I/O,QPI 108 MHz 6 ns 24-BGA(8x6)
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