商品名稱:NCV7428D1L3R2G
數(shù)據(jù)手冊:NCV7428D1L3R2G.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:8-SOIC
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
NCV7428D1L3R2G 是一款系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片 (SBC),集成了汽車電子控制單元 (ECU) 中的典型功能。NCV7428D1L3R2G 為應(yīng)用微控制器和其他負載提供并監(jiān)控低壓電源,還包括一個 LIN 收發(fā)器。
特點
控制邏輯
確保安全的上電順序和對不同電源條件的正確反應(yīng)
控制模式轉(zhuǎn)換,包括電源管理和總線喚醒處理
產(chǎn)生復(fù)位
根據(jù)版本,由低壓穩(wěn)壓器提供 3.3 V 或 5 V VOUT 電源
可提供高達 70 mA 的電流,精度為 ±2
通常為 ECU 的微控制器供電
欠壓檢測器,帶復(fù)位輸出,可連接到所提供的微控制器
LIN 收發(fā)器
符合 LIN2.x 和 J2602 標(biāo)準(zhǔn)
TxD 主導(dǎo)超時保護
收發(fā)器模式由專用輸入引腳控制
保護和監(jiān)控功能
熱關(guān)機保護
負載轉(zhuǎn)儲保護(45 V)
LIN 總線引腳在汽車環(huán)境中的瞬態(tài)保護
LIN 和 VS 的 ESD 保護級別 > ±8 kV
用于增強光學(xué)檢測的可濕側(cè)面封裝
應(yīng)用領(lǐng)域
汽車
工業(yè)網(wǎng)絡(luò)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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