商品名稱:SPC560P40L1CEFBR
數(shù)據(jù)手冊:SPC560P40L1CEFBR.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:64-LQFP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
SPC560P40L1CEFBR - 基于 Power Architecture? 的 32 位 MCU,具有 320 KB 閃存和 20 KB RAM,適用于汽車底盤和安全應用
產(chǎn)品描述
這款 32 位片上系統(tǒng) (SoC) 汽車微控制器系列是集成汽車應用控制器的最新成果。它屬于不斷擴展的汽車專用產(chǎn)品系列,專為底盤應用(特別是電動液壓助力轉(zhuǎn)向 (EHPS) 和電動助力轉(zhuǎn)向 (EPS) 以及安全氣囊應用)而設(shè)計。
產(chǎn)品特性
高達 64 MHz、單發(fā)行、32 位 CPU 內(nèi)核(e200z0h)
- 高達 256 KB 片上代碼閃存,帶 ECC 和擦除/編程控制器
- 附加 64 (4 × 16) KB 片上數(shù)據(jù)閃存,帶 ECC,用于 EEPROM 仿真
- 最多 20 KB 片上 SRAM,帶 ECC
中斷和事件
- 16 通道 eDMA 控制器
- 16 個優(yōu)先級控制器
- 多達 25 個外部中斷
- PIT 實現(xiàn)四個 32 位定時器
- 120 個中斷通過 INTC 路由
通信接口
- 2 個 LINFlex 通道(1×主/從,1×僅主)
- 最多 3 個 DSPI 通道,帶自動片選生成功能(最多 8/4/4 片選)
- 最多 2 個 FlexCAN 接口(2.0B 有效),帶 32 個信息緩沖器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB(4M x 8) 閃存 PG-LFBGA-292-6
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意法半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現(xiàn)傳導損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進的專有溝柵場運算結(jié)構(gòu)開發(fā),旨在實現(xiàn)傳導和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應用場景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導通和開關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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