商品名稱:NCP4318ALFPDR2G
品牌:ON
年份:23+
封裝:8-SOIC
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
NCP4318ALFPDR2G 是一款用于LLC諧振轉(zhuǎn)換器的混合模式同步整流(SR)控制器,它利用瞬時漏極電壓和之前的死區(qū)時間信息,僅需最少數(shù)量的外部器件。自適應(yīng)死區(qū)時間控制可補償感應(yīng)寄生電感電壓,從而最大限度地提高SR MOSFET的導(dǎo)通和效率。多步關(guān)斷閾值控制和SR電流反轉(zhuǎn)檢測功能可防止在快速負載瞬態(tài)期間出現(xiàn)反轉(zhuǎn)電流,從而使SR在整個負載范圍內(nèi)穩(wěn)定運行。此外,為提高輕負載下的運行效率,VGATE可自適應(yīng)從10V降低至6V/5V。
產(chǎn)品屬性
應(yīng)用:諧振轉(zhuǎn)換器控制器
電壓 - 輸入:-0.7V ~ 180V
電壓 - 供電:0V ~ 35V
電流 - 供電:8 mA
工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC-EP
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負載開關(guān)和任何需要標準柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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