商品名稱(chēng):IKW15N120H3FKSA1
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:5000 件
IKW15N120H3FKSA1高速 1200 V 15 A 第四代硬開(kāi)關(guān) TRENCHSTOP? IGBT,與續(xù)流二極管聯(lián)合封裝到 TO247 封裝中,在開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗之間實(shí)現(xiàn)完美平衡。該系列產(chǎn)品主要特性是與 MOSFET 相類(lèi)似的關(guān)斷開(kāi)關(guān)行為,降低關(guān)斷損耗。
特征
專(zhuān)為替代頻率低于 70kHz 應(yīng)用中的平面 MOSFET 設(shè)計(jì)
極低的開(kāi)關(guān)損耗,提高效率
通過(guò)著名的英飛凌 TRENCHSTOP? 技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)秀的 VCEsat 行為
快速開(kāi)關(guān)行為,低電磁干擾
針對(duì)目標(biāo)應(yīng)用優(yōu)化二極管,進(jìn)一步降低開(kāi)關(guān)損耗
可以選擇極低的柵極電阻(低至 5Ω),同時(shí)保持優(yōu)秀的開(kāi)關(guān)行為
短路能力
Tj(max) 175°C
可以選擇帶或不帶續(xù)流二極管的封裝,增加設(shè)計(jì)靈活度
產(chǎn)品屬性
系列: TrenchStop?
包裝: 管件
IGBT 類(lèi)型: 溝槽型場(chǎng)截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值): 1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值): 30 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm): 60 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值): 2.4V @ 15V,15A
功率 - 最大值:217 W
開(kāi)關(guān)能量: 1.55mJ
輸入類(lèi)型: 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷: 75 nC
25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值: 21ns/260ns
測(cè)試條件: 600V,15A,35 歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr): 260 ns
工作溫度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類(lèi)型: 通孔
封裝/外殼: TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝: PG-TO247-3-1
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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IRF1310NPBF是一款100V 單 N 通道功率 MOSFET,采用 TO-220 封裝。電話咨詢(xún):86-755-83294757
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