商品名稱:MOSFET 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-TTFN-9
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IQE057N10NM6CG是OptiMOSTM6 功率晶體管,電壓100V。
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TTFN-9
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 98 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 5.7 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.3 V
Qg-柵極電荷: 26 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
下降時間: 4.6 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 1.9 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 12 ns
典型接通延遲時間: 5.6 ns
特性
?N 通道,正常電平
?極低的開電阻 RDS(導(dǎo)通)
?卓越的柵極充電 x 開路電阻產(chǎn)品(FOM
?極低反向恢復(fù)電荷(Qrr)
?高雪崩能級
?175°C 工作溫度
?優(yōu)化用于高頻開關(guān)和同步校正
?無鉛鍍層;符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
?無鹵素,符合 IEC61249-2-21 標(biāo)準(zhǔn)
?根據(jù) J-STD-020 標(biāo)準(zhǔn),已通過MSL1 級認(rèn)證
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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