商品名稱(chēng):MOSFET 晶體管
品牌:Wolfspeed
年份:24+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
C3M0045065D - 650V、45mΩ、49A、分立碳化硅功率 MOSFET 晶體管,采用 TO-247-3 封裝
產(chǎn)品概覽
Wolfspeed 通過(guò)推出第三代 650 V MOSFET,擴(kuò)大了其碳化硅 (SiC) 技術(shù)的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),使更多電源系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了更小、更輕和更高效的功率轉(zhuǎn)換。650 V MOSFET 產(chǎn)品系列是高性能工業(yè)電源、服務(wù)器/電信電源、電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、不間斷電源和電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用的理想之選。
產(chǎn)品屬性
技術(shù):碳化硅
安裝方式:通孔
封裝/外殼:TO-247-3
晶體管極性:N-通道
通道數(shù):1 通道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓:650 V
Id - 漏極連續(xù)電流:49 A
Rds On - 漏極-源極電阻:45 mOhms
Vgs - 柵極源極電壓:- 8 V,+ 19 V
Vgs th - 柵極-源極閾值電壓:3.6 V
Qg - 柵極電荷:63 nC
最低工作溫度:- 40°C
最高工作溫度:175°C
Pd - 功率耗散:176 W
通道模式:增強(qiáng)型
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
Wolfspeed(紐交所代碼:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來(lái)提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開(kāi)關(guān)器件和射頻器件,涵蓋電動(dòng)汽車(chē)、快速充電、5G、可再生能源和存儲(chǔ)以及航空航天和國(guó)…
C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 溝道增強(qiáng)型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻塞電壓,低導(dǎo)通電阻高速開(kāi)關(guān),低電容快速本征二極管,低反向恢復(fù) (Qrr)無(wú)鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0060065D 的優(yōu)點(diǎn)更高的系統(tǒng)效率降低冷卻要求功率密度更高提高…C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 溝道增強(qiáng)型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)優(yōu)化封裝,具有獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)源引腳漏極和源極之間的爬電距離為 8 毫米高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開(kāi)關(guān),低電容快速本征二極管,低反向恢復(fù) (Qrr)無(wú)鹵素,符合…C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 溝道增強(qiáng)型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0021120D 的特點(diǎn)第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開(kāi)關(guān),低電容具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管無(wú)鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0021120D 的優(yōu)點(diǎn)降低開(kāi)關(guān)損耗,最大限度地減少柵極振鈴…E4M0060075K1
E4M0060075K1 是汽車(chē) N 溝道增強(qiáng)模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0060075K1 的特點(diǎn)優(yōu)化封裝,具有獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)源引腳高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開(kāi)關(guān),低電容本征二極管速度快,反向恢復(fù) (Qrr) 低無(wú)鹵素,符合 RoHS 規(guī)范通過(guò)汽車(chē)認(rèn)證 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…E4M0045075K1
E4M0045075K1 是汽車(chē) N 溝道增強(qiáng)模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0045075K1 的特點(diǎn)優(yōu)化封裝,具有獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)源引腳高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開(kāi)關(guān),低電容本征二極管速度快,反向恢復(fù) (Qrr) 低無(wú)鹵素,符合 RoHS 規(guī)范通過(guò)汽車(chē)認(rèn)證 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè)級(jí) HV-H3TRB 認(rèn)證、CTI 600、SiC 功率模塊。Wolfspeed HAS模塊非常適用于高頻 工業(yè)應(yīng)用,如感應(yīng)加熱、軌道/牽引、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電動(dòng)汽車(chē)充電基礎(chǔ)設(shè)施。HAS350M12BM3具有以下特性:漏源電壓(Vdss):1200V25C 時(shí)電流 -…電話咨詢:86-755-83294757
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