產品概述
E3M0060065K 是采用 TO-247-4 封裝的 650V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。Wolfspeed 通過推出 E-系列碳化硅 (SiC) MOSFET,擴大了其在碳化硅領域的領先地位,該系列 MOSFET 符合汽車標準,具有 PPAP 能力和防潮性能。它采用了 Wolfspeed 的第三代堅固耐用技術,具有業(yè)界最低的開關損耗和最高的性能指標。E 系列 MOSFET 經過優(yōu)化,可用于電動汽車電池充電器和高壓 DC/DC 轉換器,并在 Wolfspeed 的 6.6kW 雙向板載充電器參考設計中得到應用。
E3M0060065K - 650V、60mΩ、37A 分立式碳化硅功率 MOSFET 晶體管,采用 TO-247-4 封裝
主要特性
- 第三代碳化硅 MOSFET 技術
- 優(yōu)化封裝,具有獨立的驅動器源引腳
- 漏極和源極之間的爬電距離為 8 毫米
- 阻塞電壓高,導通電阻低
- 高速開關,低電容
- 快速本征二極管,低反向恢復 (Qrr)
- 無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范
- 通過汽車認證 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求
優(yōu)點
耐高壓、高溫和高濕度,真正實現(xiàn)了太陽能轉換和車外充電的戶外應用
降低冷卻要求
顯著縮小系統(tǒng)尺寸
易于并聯(lián),驅動簡單
減輕續(xù)航焦慮,加快充電速度
型號
品牌
封裝
數量
描述
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答:我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Wolfspeed(紐交所代碼:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技術方面處于市場領先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領先的解決方案。Wolfspeed 的產品系列包括碳化硅材料、電源開關器件和射頻器件,涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技術高阻塞電壓,低導通電阻高速開關,低電容快速本征二極管,低反向恢復 (Qrr)無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0060065D 的優(yōu)點更高的系統(tǒng)效率降低冷卻要求功率密度更高提高…C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術優(yōu)化封裝,具有獨立的驅動源引腳漏極和源極之間的爬電距離為 8 毫米高阻斷電壓,低導通電阻高速開關,低電容快速本征二極管,低反向恢復 (Qrr)無鹵素,符合…C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0021120D 的特點第三代碳化硅 MOSFET 技術高阻斷電壓,低導通電阻高速開關,低電容具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0021120D 的優(yōu)點降低開關損耗,最大限度地減少柵極振鈴…E4M0060075K1
E4M0060075K1 是汽車 N 溝道增強模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0060075K1 的特點優(yōu)化封裝,具有獨立的驅動源引腳高阻斷電壓,低導通電阻高速開關,低電容本征二極管速度快,反向恢復 (Qrr) 低無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認證 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…E4M0045075K1
E4M0045075K1 是汽車 N 溝道增強模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0045075K1 的特點優(yōu)化封裝,具有獨立的驅動源引腳高阻斷電壓,低導通電阻高速開關,低電容本征二極管速度快,反向恢復 (Qrr) 低無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認證 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè)級 HV-H3TRB 認證、CTI 600、SiC 功率模塊。Wolfspeed HAS模塊非常適用于高頻 工業(yè)應用,如感應加熱、軌道/牽引、電機驅動器和電動汽車充電基礎設施。HAS350M12BM3具有以下特性:漏源電壓(Vdss):1200V25C 時電流 -…電話咨詢:86-755-83294757
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