商品名稱:F-RAM(鐵電體 RAM)
品牌:Cypress
年份:24+
封裝:FBGA-24
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5000 件
EXCELON? LP CY15V116QI-20BKXC是一款低功耗、16Mb 非易失性存儲器,采用了先進(jìn)的鐵電工藝。鐵電隨機(jī)存取存儲器或 F-RAM 是非易失性存儲器,其讀寫功能與 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠數(shù)據(jù)保留,同時消除了串行閃存、EEPROM 和其他非易失性存儲器帶來的復(fù)雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。
與串行閃存和 EEPROM 不同,CY15X116QI 以總線速度執(zhí)行寫入操作。不會產(chǎn)生寫入延遲。每個字節(jié)成功傳輸?shù)狡骷?,?shù)據(jù)立即寫入存儲器陣列。無需進(jìn)行數(shù)據(jù)輪詢,即可開始下一個總線周期。此外,與其他非易失性存儲器相比,該產(chǎn)品具有很強(qiáng)的寫入耐用性。CY15X116QI 能夠支持 1015 次讀寫周期,寫入次數(shù)是 EEPROM 的 1 億倍。
這些功能使 CY15X116QI 成為需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應(yīng)用的理想選擇。例如,在數(shù)據(jù)采集應(yīng)用中,寫入周期的次數(shù)可能至關(guān)重要;在要求苛刻的工業(yè)控制應(yīng)用中,串行閃存或 EEPROM 的寫入時間過長可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。
產(chǎn)品屬性
類別:存儲器
系列: Excelon?-LP,F-RAM?
包裝 :托盤
零件狀態(tài): 在售
存儲器類型: 非易失
存儲器格式: FRAM
技術(shù): FRAM(鐵電體 RAM)
存儲容量: 16Mb
存儲器組織: 2M x 8
存儲器接口: SPI
時鐘頻率: 20 MHz
訪問時間: 20 ns
電壓 - 供電: 1.71V ~ 1.89V
工作溫度: 0°C ~ 70°C(TA)
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼: 24-TBGA
供應(yīng)商器件封裝: 24-FBGA(6x8)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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