AR0820ATSC18XMEA0-TRBR - 高分辨率 1/2 英寸 CMOS 數(shù)字圖像傳感器
AR0820ATSC18XMEA0-TRBR - 產(chǎn)品描述:
AR0820ATSC18XMEA0-TRBR 是一款 1/2 英寸 CMOS 數(shù)字圖像傳感器,具有 3848 H x 2168 V 有源像素陣列。這款先進的汽車傳感器可捕捉線性或高動態(tài)范圍的圖像,并具有滾動快門讀出功能。該器件可通過簡單的兩線串行接口進行編程,并支持 MIPI 輸出接口。
AR0820ATSC18XMEA0-TRBR - 產(chǎn)品屬性:
類型:CMOS
像素尺寸:2.1μm x 2.1μm
有源像素陣列:3848H x 2168V
每秒幀數(shù):40.0
封裝/外殼:95-FBGA
供應商器件封裝:95-IBGA (11x8)
工作溫度:-40°C ~ 105°C
應用:前視攝像頭 (ADAS) 、自動駕駛 (AD)
AR0820ATSC18XMEA0-TRBR - 主要特性:
采用 DRPix ? 技術(shù)的高性能 2.1 μm 汽車級背面照射 (BSI) 像素
先進的 OnSensor HDR 重建技術(shù),可靈活控制曝光比
在 3 次曝光 HDR 和 4 次曝光 HDR 下,分別以高達 40 fps 和 30 fps 的速度快速捕獲 3840 x 2160 全分辨率視頻
線路交錯 T1/T2/T3/T4 輸出
傳感器故障檢測,支持 ASILB 合規(guī)性
2 x 2 輸入像素分檔模式和色彩分檔模式
數(shù)據(jù)接口: 1.8 Gbps/通道,4 通道 MIPI CSI2
在多達 4 個上下文之間進行幀到幀切換,以支持多功能系統(tǒng)
支持多攝像機同步
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關(guān)和任何需要標準柵極驅(qū)動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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