商品名稱:碳化硅(SiC)二極管
品牌:Microchip
年份:24+
封裝:TO-247-2
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
MSC030SDA070B - 采用 TO-247-2 封裝的 700V 30A 碳化硅 (SiC) 肖特基勢(shì)壘二極管
MSC030SDA070B - 產(chǎn)品屬性:
技術(shù): SiC(碳化硅)肖特基
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):700 V
電流 - 平均整流 (Io):60A
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf):1.8 V @ 30 A
速度:無恢復(fù)時(shí)間 > 500mA(Io)
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):0 ns
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏:200 μA @ 700 V
不同 Vr、F 時(shí)電容:1200pF @ 1V,1MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-2
供應(yīng)商器件封裝:TO-247
工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C
與傳統(tǒng)的硅(Si)功率二極管相比,碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)具有更高的動(dòng)態(tài)和熱性能。與純硅器件相比,碳化硅器件具有更大的介質(zhì)擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更高的帶隙和更高的熱傳導(dǎo)率。SiC SBD 的正向和反向恢復(fù)電荷均為零,從而降低了二極管開關(guān)損耗。這些器件還提供與溫度無關(guān)的開關(guān),確保穩(wěn)定的高溫性能。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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