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產(chǎn)品分類

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商品型號:MSC360SMA120SDT

商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET

品牌:Microchip

年份:24+

封裝:TO-263-7

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

聯(lián)系人:

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
Microchip
型號
MSC360SMA120SDT
封裝
TO-263-7
描述
碳化硅 (SiC) MOSFET 表面貼裝型 N 通道 1200 V 12A(Tc) 92W(Tc) TO-263-7

產(chǎn)品描述

MSC360SMA120SDT是一款高性能、1200V、12A碳化硅MOSFET,采用TO-263-7封裝,具有低電容和低柵極電荷。Microchip SiC解決方案專注于高性能,有助于最大限度地提高系統(tǒng)效率,并最小化系統(tǒng)重量和尺寸。


MSC360SMA120SDT的規(guī)格:

FET 類型:N 通道

技術(shù):SiC

漏源電壓(Vdss):1200 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):12A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V,20V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):450 毫歐 @ 5A,20V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):21 nC @ 20 V

Vgs(最大值):+23V,-10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):258 pF @ 1.2 kV

FET 功能:-

功率耗散(最大值):92W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

等級:-

資質(zhì):-

安裝類型:表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝:TO-263-7

封裝/外殼:TO-263-8,D2PAK(7 引線 + 凸片),TO-263CA


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Microchip

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