GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212i倒裝封裝,具有低電感、低開關損耗和高可靠性。
GAN039-650NTBZ的規(guī)格:
FET 類型:N 通道
技術:GaNFET(氮化鎵)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):58.5A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):39 毫歐 @ 32A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.6V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):26 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1980 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):250W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等級:-
資質:-
安裝類型:表面貼裝型
供應商器件封裝:CCPAK1212i
封裝/外殼:12-BESOP(0.370",9.40mm 寬),裸焊盤
應用
電信/服務器鈦金級電源
工業(yè)車輛充電
太陽能 (PV) 逆變器
交流伺服驅動器/變頻器
電池存儲/UPS逆變器
型號
品牌
封裝
數量
描述
Nexperia
WLCSP-22
3000
氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 40 V 20A(Ta) 13W(Ta) 22-WLCSP(2.1x2.1)
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