GD600HFX65C6S - 650V/600A 半橋 IGBT 模塊,C6.1封裝
STARPOWER IGBT 功率模塊具有超低傳導損耗和短路耐用性。它們專為逆變器和 UPS 等應用而設計。
型號:GD600HFX65C6S(IGBT 模塊)
封裝:C6.1
額定電流:600A
芯片類型:Trench-FS Gen1
額定電壓:650V
電路結構:Half Bridge/半橋
特征:平板基板
導通壓降VCE(sat) Tvj=25℃ typ:1.45V
典型應用:
- 用于電機驅動的變頻器
- 交直流伺服驅動放大器
- 不間斷電源
GD600HFX65C6S - 產(chǎn)品特征:
低 VCE(飽和)溝槽 IGBT 技術
正溫度系數(shù) VCE(sat)
6μs 短路能力
最高結溫 175℃
低電感外殼
快速和軟反向恢復反并聯(lián) FWD
采用 DBC 技術的隔離銅基板
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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斯達半導體股份有限公司成立于2005年4月,專業(yè)從事以IGBT為主的功率半導體芯片和模塊的設計研發(fā)、生產(chǎn)及銷售服務,是目前國內功率半導體器件領域的領軍企業(yè)。公司總部位于浙江嘉興,在上海、重慶、浙江和歐洲均設有子公司,并在國內和歐洲德國和瑞士設有研發(fā)中心。2020年…
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