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H5UG7HME03X020R

類型：DRAM, DDR5

密度：16Gb

KGSD密度：128Gb

速度：6.0Gbps

組織：x1024

電壓：1.1V

封裝：8Hi

介紹：

SK hynix 通過開發(fā) HBM3 鞏固了其在高速 DRAM 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，HBM3 是用于數(shù)據(jù)中心、超級計算機和人工智能等尖端技術(shù)的最新高帶寬內(nèi)存。

先進的散熱技術(shù)

在相同的工作電壓下，HBM3 的運行溫度比 HBM2E 低，從而提高了服務(wù)器系統(tǒng)環(huán)境的穩(wěn)定性。在同等工作溫度下，SK hynix HBM3 可以支持 12 層堆棧，容量是 HBM2E 的 1.5 倍，I/O 速度為 6Gbps，帶寬是 HBM2E 的 1.8 倍。因此，在相同的工作條件下，SK hynix 擁有更大的冷卻能力，實現(xiàn)了其 Memory ForEST* 計劃。

性能提升

SK hynix HBM3 在相同封裝高度下堆疊 12 個 DRAM 芯片，容量是 HBM2E 的 1.5 倍，適用于人工智能和高性能計算等容量密集型應(yīng)用。單個立方體可產(chǎn)生高達(dá) 819GB/s 的帶寬，而在同一硅片上使用六個 HBM 芯片的 SiP（系統(tǒng)級封裝）可達(dá)到高達(dá) 4.8TB/s 的帶寬，以支持超大規(guī)模需求。

片上 ECC

SK hynix HBM3 還具有強大的定制設(shè)計的片上 ECC（糾錯碼），它使用預(yù)先分配的奇偶校驗位來檢查和糾正接收到的數(shù)據(jù)中的錯誤。嵌入式電路允許 DRAM 在單元內(nèi)自我糾錯，大大提高了器件的可靠性。

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