商品名稱:MSC020SDA120B
數(shù)據(jù)手冊:MSC020SDA120B.pdf
品牌:Microchip
年份:23+
封裝:TO-247-2
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
MSC020SDA120B 器件是1200 V,49A SiC肖特基二極管,采用TO-247-2引腳封裝。該碳化硅(SiC)功率肖特基勢壘二極管(SBD)產(chǎn)品線比硅二極管解決方案提高了性能,同時(shí)降低了高壓應(yīng)用的總擁有成本。
產(chǎn)品規(guī)格:
技術(shù):SiC(碳化硅)肖特基
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V
電流 - 平均整流 (Io):49A
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf):1.8 V @ 20 A
速度:無恢復(fù)時(shí)間 > 500mA(Io)
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):0 ns
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏:200 μA @ 1200 V
不同 Vr、F 時(shí)電容:1130pF @ 1V,1MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-2
供應(yīng)商器件封裝:TO-247
工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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VSC7425XJG-02
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APT80GA90LD40是一款高速穿透式開關(guān)模式 IGBT器件。通過領(lǐng)先的技術(shù)硅設(shè)計(jì)和壽命控制流程,實(shí)現(xiàn)低 Eoff。減少 Eoff - VCE(ON) 的權(quán)衡,使其與其他 IGBT 技術(shù)相比,具有更優(yōu)越的效率。技術(shù)規(guī)格APT80GA90LD40的主要規(guī)格包括:IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):900…APT75GN60LDQ3G
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