商品名稱:GaN 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PDFN 8x8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
GS-065-011-2-L-TR是一款增強(qiáng)型硅基 GaN 功率晶體管。 GaN 的特性允許高電流、高電壓擊穿和高開關(guān)頻率。 GS-065-011-2-L-TR是一款采用 8x8 mm PDFN 封裝的底部冷卻晶體管,可實(shí)現(xiàn)現(xiàn)代 USB-C 適配器和充電器或其他中等功率應(yīng)用所需的理想功耗。
特性
增強(qiáng)型 HEMT – 常閉
超快開關(guān)
無反向恢復(fù)電荷
具有反向?qū)芰?/span>
低柵極電荷、低輸出電荷
卓越的換向強(qiáng)度
符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD47、JESD22)
底部冷卻
零反向恢復(fù)損耗
源極檢測(cè)焊盤可實(shí)現(xiàn)最佳柵極驅(qū)動(dòng)
快速、可控的下降和上升時(shí)間
符合 RoHS 3(6+4) 標(biāo)準(zhǔn)
優(yōu)勢(shì)
提高系統(tǒng)效率
提高功率密度
減輕系統(tǒng)重量
實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率
節(jié)省系統(tǒng)成本
降低電磁干擾
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…S6E2H46G0AGB3000A
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2EDN8534F是英飛凌一款雙通道5A柵極驅(qū)動(dòng)器IC,屬于EiceDRIVER? 2EDN系列,專為驅(qū)動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)MOSFET、超結(jié)MOSFET及寬禁帶(WBG)功率開關(guān)器件(如SiC、GaN)而優(yōu)化。IRS2181STRPBF
IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,典型源電流為 1.9 A,灌電流為 2.3 A,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
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