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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:IAUC60N04S6N031H

商品名稱:IAUC60N04S6N031H

數(shù)據(jù)手冊:IAUC60N04S6N031H.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:PG-TDSON-8-56

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價

聯(lián)系人:

聯(lián)系郵箱:

聯(lián)系電話:

公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IAUC60N04S6N031H
封裝
PG-TDSON-8-56
描述
MOSFET - 陣列 40V 60A(Tj) 75W(Tc) 表面貼裝型 PG-TDSON-8-56

產(chǎn)品描述

IAUC60N04S6N031H是一款60A 40V 雙N 通道MOSFET,采用PG-TDSON-8-56無引線封裝。Infineon OptiMOS? 5功率MOSFET的設(shè)計符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時可降低系統(tǒng)成本。該產(chǎn)品采用新型硅技術(shù),經(jīng)優(yōu)化可達到并超過能源效率和功率密度要求。


產(chǎn)品規(guī)格:

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

配置:2 個 N 通道(半橋)

FET 功能:-

漏源電壓(Vdss):40V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):60A(Tj)

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):3.1 毫歐 @ 30A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3V @ 25μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):30nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1922pF @ 25V

功率 - 最大值:75W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:8-PowerVDFN

供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8-56

基本產(chǎn)品編號:IAUC60


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MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安裝

MSCSM120HRM052NG

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Module

1000

MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安裝

MSCSM170HRM233AG

Microchip

Module

10000

MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安裝

MSCSM120HRM08NG

Microchip

Module

1000

MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安裝

MSCSM120HRM311AG

Microchip

Module

1000

MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安裝

MSCSM70XM45CTYZBNMG

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MSCSM120VR1M062CT6AG

Microchip

Module

1000

MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV) 420A(Tc) 1.753kW(Tc) 底座安裝

MSCSM120HM31TBL2NG

Microchip

Module

1000

MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV) 79A 310W 底座安裝

MSCSM120HM16T3AG

Microchip

Module

1000

MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV) 173A(Tc) 745W(Tc) 底座安裝

常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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    答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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INFINEON

INFINEON

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