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IQD009N06NM5CGSC是OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V 正常電平，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)。

功率 MOSFET IQD009N06NM5CGSC 具有 0.9 mOhm 的低 RDS(on)，同時具有出色的熱性能，便于管理功率損耗。中心柵基底面針對并行化進(jìn)行了優(yōu)化。此外，與包覆封裝相比，雙面冷卻封裝的耗散功率要高出五倍。

這就為各種終端應(yīng)用提供了更高的系統(tǒng)效率和功率密度。

特征

最先進(jìn)的 60 V 硅技術(shù)

出色的 FOM

改進(jìn)的熱性能

超低寄生

最大化芯片/封裝比

中心柵極基底面

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝

優(yōu)勢

最佳開關(guān)性能

傳導(dǎo)損耗最小

快速開關(guān)

降低電壓過沖

提高最大電流能力

需要并聯(lián)的器件更少

5x6 基底面上的 RDS(on) 最低

易于熱管理

規(guī)格

FET 類型： N 通道  

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 60 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：42A（Ta），445A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 0.9 毫歐 @ 50A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 3.3V @ 163μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 150 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 12000 pF @ 30 V  

功率耗散（最大值）： 3W（Ta），333W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ） 

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

• 2.公司商品都是原裝正品嗎？

  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

• 3.可以提供原廠或代理的資質(zhì)證明嗎？

  答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認(rèn)。

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  答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

• 5.下單后什么時候能發(fā)貨？多久能到？

  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

• 6.公司能開發(fā)票嗎？

  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。