商品名稱:S27KL0642GABHI033
數(shù)據(jù)手冊(cè):S27KL0642GABHI033.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:24FBGA
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
S27KL0642GABHI033 64Mbit HYPERRAM?器件是一種高速CMOS,自刷新DRAM,具有xSPI (Octal)接口。 DRAM陣列使用需要定期刷新的動(dòng)態(tài)單元。 當(dāng)內(nèi)存沒有被xSPI接口主(主機(jī))主動(dòng)讀寫時(shí),設(shè)備內(nèi)的刷新控制邏輯管理DRAM陣列上的刷新操作。 由于主機(jī)不需要管理任何刷新操作,因此在主機(jī)看來,DRAM陣列似乎使用靜態(tài)單元來保留數(shù)據(jù)而不進(jìn)行刷新。 因此,將內(nèi)存更準(zhǔn)確地描述為偽靜態(tài)RAM (PSRAM)。
產(chǎn)品規(guī)格:
存儲(chǔ)器類型:易失
存儲(chǔ)器格式:PSRAM
技術(shù):PSRAM(偽 SRAM)
存儲(chǔ)容量:64Mbit
存儲(chǔ)器組織:8M x 8
存儲(chǔ)器接口:HyperBus
時(shí)鐘頻率:200 MHz
寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):35ns
訪問時(shí)間:35 ns
電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V
工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:24-VBGA
供應(yīng)商器件封裝:24-FBGA(6x8)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
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