商品名稱:IXYX110N120B4
數(shù)據(jù)手冊:IXYX110N120B4.pdf
品牌:IXYS
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
IXYX110N120B4器件是一款通過IGBT進行5-30kHz切換的1200V 340A高速IGBT器件。采用 TO-247-3 通孔型引腳封裝,其功率最高為1360W。
產(chǎn)品規(guī)格:
IGBT 類型:-
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):340 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):800 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,110A
功率 - 最大值:1360 W
開關(guān)能量:3.6mJ(開),3.85mJ(關(guān))
輸入類型:標準
柵極電荷:340 nC
25°C 時 Td(開/關(guān))值:45ns/390ns
測試條件:600V,50A,2 歐姆,15V
反向恢復時間 (trr):50 ns
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3 變式
供應商器件封裝:PLUS247?-3
基本產(chǎn)品編號:IXYX110
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國硅谷,1983年成立,主營:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點為高壓、高功率,涵蓋了…
IXFX230N20T
IXFX230N20T是一款高性能功率 MOSFET,專為高電流和高電壓應用設(shè)計。VUO36-16NO8
VUO36-16NO8是一款高性能三相橋式整流器,專為高電壓、高電流的應用場景設(shè)計。IXSH80N120L2KHV
IXSH80N120L2KHV是一款1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管,其導通電阻(RDS(on))為30mΩ,這意味著在導通狀態(tài)下,器件的電阻較小,有助于減少能量損耗。該IXSH80N120L2KHV器件適用于需要高效率、快速開關(guān)和低損耗的應用,如車載充電器、電動汽車/混合動力汽車的DC/DC變換…IXSH40N120L2KHV
IXSH40N120L2KHV是一款工業(yè)級SiC MOSFET,其耐壓值為1200V,具有低導通電阻和高速開關(guān)特性,適用于高功率應用場景。IXSH40N120L2KHV具有較低的導通電阻,有助于減少能量損耗,提高系統(tǒng)效率?。技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品:IXSH40N120L2KHV封裝 / 箱體:TO-247-4L晶體管極性:N-Channel…IXSA80N120L2-7
IXSA80N120L2-7是一款工業(yè)級、單開關(guān)SiC MOSFET,具有低損耗、快速切換的特性,適用于高速度工業(yè)開關(guān)模式電源供應。主要特性低導通損耗?:IXSA80N120L2-7的導通損耗非常低,具體為30m?。低柵極驅(qū)動功率要求?:柵極驅(qū)動電壓范圍為-3/+15到18V。低熱管理需求?:該MOSFE…IXSA40N120L2-7
IXSA40N120L2-7是一款工業(yè)級單管碳化硅MOSFET(SiC MOSFET),具有優(yōu)異的功率循環(huán)特性和快速、低損耗的開關(guān)行為。應用領(lǐng)域IXSA40N120L2-7適用于多種高功率和高頻率的應用場景,包括:太陽能逆變器開關(guān)模式電源不間斷電源電機驅(qū)動DC/DC轉(zhuǎn)換器電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施感應加熱…電話咨詢:86-755-83294757
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