商品名稱:THGBMJG6C1LBAU7
數(shù)據(jù)手冊:THGBMJG6C1LBAU7.pdf
品牌:KIOXIA
年份:23+
封裝:FBGA-153
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
THGBMJG6C1LBAU7 8Gbit THGBM e-MMC?托管型NAND閃存是先進(jìn)、高效的器件,具有集成控制器、增強(qiáng)型存儲管理。集成的存儲管理功能包括糾錯、損耗均衡和壞塊管理。該THGBM e-MMC閃存器件符合JEDEC 5.0 (4GB) 和5.1版標(biāo)準(zhǔn),為具有更高數(shù)據(jù)速度和容量要求的應(yīng)用提供了理想的解決方案。
產(chǎn)品規(guī)格:
產(chǎn)品種類:eMMC
系列:THGBM
封裝/箱體:FBGA-153
存儲容量:8GB
順序讀?。?00 MB/s
接口類型:eMMC 5.1
電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V
工作溫度:-40°C ~ 105°C
封裝:Tray
尺寸:11.5 mm x13 mm x 1 mm
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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(KIOXIA)鎧俠是全球存儲器解決方案領(lǐng)導(dǎo)者,致力于開發(fā)、生產(chǎn)和銷售閃存及固態(tài)硬盤(SSD)。東芝公司于1987年發(fā)明了NAND閃存, 2017年4月,鎧俠前身東芝存儲器集團(tuán)從東芝公司剝離,開創(chuàng)了先進(jìn)的存儲解決方案和服務(wù),可豐富人們的生活并擴(kuò)大社會的視野。鎧俠創(chuàng)新的3D閃存技…
THGBMNG5D1LBAIL
THGBMNG5D1LBAIL 是一款高性能 eMMC 產(chǎn)品,該器件配備了一個(gè)集成控制器,該控制器支持符合 JEDEC 5.0/5.1 版的高速內(nèi)存接口,無需主機(jī)處理器直接控制閃存。對于許多由于密度要求較低或處理器尚不支持 UFS 接口而無法遷移到最新一代 UFS 的應(yīng)用來說,e-MMC 仍然是一個(gè)重要…THGBMJG6C1LBAB7
THGBMJG6C1LBAB7是一款NAND閃存類型的存儲器,其主要用于手機(jī)、平板電腦、消費(fèi)電子產(chǎn)品及固態(tài)硬盤(SSD)等多種應(yīng)用場合。THGAMRG8T13BAIL
THGAMRG8T13BAIL e-MMC? NAND閃存采用比特列堆疊 (BiCS) FLASH? 3D 技術(shù)。該閃存為需要以經(jīng)濟(jì)高效的方式存儲更高數(shù)據(jù)量的應(yīng)用提供了最佳解決方案。THGAM eMMC 閃存完全符合多媒體卡協(xié)會 (MMCA) 高速內(nèi)存接口標(biāo)準(zhǔn)。這些閃存符合最新的 JEDEC 5.1 版。規(guī)格:產(chǎn)品:TH…TH58NVG2S3HTAI0
Kioxia SLC NAND 和 BENAND? 閃存可為敏感或頻繁使用的系統(tǒng)數(shù)據(jù)提供同類最佳的耐用性和數(shù)據(jù)保留能力。這些器件采用領(lǐng)先的 24 納米生產(chǎn)技術(shù),同時(shí)支持更小的電路板尺寸(移動設(shè)備等)。TH58NVG2S3HTAI0—FLASH - NAND(SLC) 存儲器 IC 4Gb 并聯(lián) 25 ns 48-TSOP I類別: 存…TH58NVG2S3HAI0
Kioxia SLC NAND 和 BENAND? 閃存可為敏感或頻繁使用的系統(tǒng)數(shù)據(jù)提供同類最佳的耐用性和數(shù)據(jù)保留能力。這些器件采用領(lǐng)先的 24 納米生產(chǎn)技術(shù),同時(shí)支持更小的電路板尺寸(移動設(shè)備等)。TH58NVG2S3HAI0—FLASH - NAND(SLC) 存儲器 IC 4Gb 并聯(lián) 25 ns 48-TSOP I類別: 存…TH58NYG2S3HBAI4
TH58NYG2S3HBAI4 SLC NAND 高級閃存為敏感或頻繁使用的系統(tǒng)數(shù)據(jù)提供了最先進(jìn)的耐用性和數(shù)據(jù)保留能力。特點(diǎn)SLC NAND 24nm1Gb - 128Gb擴(kuò)展溫度范圍TSOP 和 BGA 封裝BENAND 24 納米內(nèi)置 ECC SLC NAND1Gb - 8Gb片上 H/W ECC與原始 SLC 相同的可靠性和性能與原始 SLC 相同的硬…電話咨詢:86-755-83294757
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