商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:D2PAK
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:6000 件
IPB042N10N3G 是一款 100V OptiMOS? 功率 MOSFET,可以為高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解決方案。與下一代出色技術(shù)相比,該系列在 R Ds(on)和 FOM(品質(zhì)因數(shù))方面均降低了30%。
產(chǎn)品規(guī)格:
產(chǎn)品:IPB042N10N3G
技術(shù) :Si
安裝風(fēng)格 :SMD/SMT
封裝 / 箱體 :D2PAK-3 (TO-263-3)
晶體管極性 :N-Channel
通道數(shù)量 :1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓 :100 V
Id-連續(xù)漏極電流 :100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻 :4.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓 :- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓 :2 V
Qg-柵極電荷 :88 nC
工作溫度 :- 55°C 至 + 175°C
Pd-功率耗散 :214 W
通道模式 :Enhancement
配置 :Single
下降時間 :14 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值 :73 S
高度 :4.4 mm
長度 :10 mm
產(chǎn)品類型 :MOSFETs
上升時間 :59 ns
系列 :OptiMOS 3
晶體管類型 :1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間 :48 ns
典型接通延遲時間 :27 ns
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
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IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC,典型源電流為 1.9 A,灌電流為 2.3 A,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
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