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BSZ075N08NS5：80V、OptiMOS?5 功率 MOSFET 晶體管

型號：BSZ075N08NS5

封裝：PG-TSDSON-8 

類型：OptiMOS?5 功率 MOSFET 晶體管

BSZ075N08NS5 是采用 S3O8 封裝的 80V OptiMOS?5 工業(yè)功率 MOSFET 晶體管。它專為電信和服務器電源中的同步整流而設計。此外，它們還可用于太陽能、低壓驅動器和適配器等其他工業(yè)應用。

BSZ075N08NS5 - 產(chǎn)品屬性：

系列： OptiMOS?

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：80 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：40A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：7.5 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 36μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：29.5 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2080 pF @ 40 V

功率耗散（最大值）：69W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-TSDSON-8-26

封裝/外殼：8-PowerTDFN

BSZ075N08NS5 - 應用：

48V 至 12V DC-DC 轉換器

工業(yè) 4.0 工業(yè)機器人系統(tǒng)解決方案

移動設備和智能手機

實現(xiàn)全新數(shù)字化、超級互聯(lián)醫(yī)療生態(tài)系統(tǒng)的先進半導體

電信基礎設施

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