商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管
品牌:Navitas
年份:25+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
G2R1000MT33J器件是一款3300 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管,其低導(dǎo)通電阻為1000mΩ,有助于減少能量損耗,提高系統(tǒng)效率。
基本參數(shù)
漏源電壓(Vdss)?:3300V
?連續(xù)漏極電流(Id)?:4A(在25°C時)
?驅(qū)動電壓(Vgs)?:最大±20V
?導(dǎo)通電阻(RdsOn)?:1000mΩ
?功率耗散(Ptot)?:74W(Tc)
?工作溫度范圍?:-55°C ~ 175°C(TJ)
?封裝形式?:TO-263-7?
G2R1000MT33J適用于多種高功率應(yīng)用場景,包括但不限于:
輔助電源供應(yīng)?
1500V太陽能逆變器系統(tǒng)?
工業(yè)電機(交流伺服)?
DC/DC轉(zhuǎn)換器?
不間斷電源(UPS)系統(tǒng)?
電力電子轉(zhuǎn)換器??
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
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答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。
答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
納微半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor)成立于 2014 年,專注于開發(fā)超高效的氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品。 2022年1月,納微半導(dǎo)體宣布開設(shè)新的電動汽車 (EV) 設(shè)計中心,進一步擴展到更高功率的氮化鎵市場。氮化鎵功率芯片企業(yè)納微半導(dǎo)體宣布推出全新一代采用GaNSense技術(shù)的智能GaNFas…
NV6115-RA
NV6115-RA芯片的導(dǎo)阻為170mΩ,耐壓650V,支持2MHz開關(guān)頻率,采用5*6mm QFN封裝,節(jié)省面積,得益于NV6115內(nèi)置驅(qū)動器,無需外置驅(qū)動器,更加節(jié)省PCB空間。GaNFast 功率集成電路將反激式、半橋、諧振等傳統(tǒng)拓撲結(jié)構(gòu)的功能擴展到 MHz 以上,使突破性設(shè)計得以商業(yè)化。產(chǎn)品屬性…NV6117-RA
這款 NV6117-RA GaNFast 功率集成電路針對高頻軟開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)進行了優(yōu)化。場效應(yīng)晶體管、驅(qū)動和邏輯的單片集成創(chuàng)造了一個易于使用的 "數(shù)字輸入、電源輸出 "高性能動力總成構(gòu)件,使設(shè)計人員能夠創(chuàng)建世界上速度最快、體積最小、效率最高的電源轉(zhuǎn)換器。最高的 dV/…NV6132A-RA
NV6132A-RA 這款 GaNFast? 功率集成電路集成了帶集成柵極驅(qū)動的高性能 eMode GaN FET,可實現(xiàn)前所未有的高頻和高效率運行。它還集成了 GaNSense? 技術(shù),可實時、準確地檢測電壓、電流和溫度,從而進一步提高性能和穩(wěn)健性,這是任何分立氮化鎵或分立硅器件都無法實現(xiàn)的?!?/span>NV6152-RA
NV6152-RA 這款 GaNFast? 功率集成電路集成了高性能 eMode GaN FET 和集成柵極驅(qū)動,可實現(xiàn)前所未有的高頻和高效率運行。產(chǎn)品特性GaNFast? 功率集成電路- 單片集成柵極驅(qū)動- 寬 VCC 范圍(10 至 30 V)- 可編程導(dǎo)通 dV/dt- 200 V/ns dV/dt 抗擾度- 800 V 額定瞬態(tài)電壓-…NV6153-RA
NV6153-RA GaNFast? 功率集成電路集成了高性能 eMode GaN FET 和集成柵極驅(qū)動,可實現(xiàn)前所未有的高頻和高效率運行。功能特點單片集成柵極驅(qū)動寬 VCC 范圍(10 至 30 V)可編程導(dǎo)通 dV/dt200 V/ns dV/dt 抗擾度800 V 額定瞬態(tài)電壓700 V 額定連續(xù)電壓300 mΩ 低電阻零反向…NV6158
NV6158 GaNFast? 功率集成電路集成了高性能 eMode GaN FET 和集成柵極驅(qū)動,可實現(xiàn)前所未有的高頻和高效率運行。功能特點單片集成柵極驅(qū)動寬 VCC 范圍(10 至 30 V)可編程導(dǎo)通 dV/dt200 V/ns dV/dt 抗擾度800 V 額定瞬態(tài)電壓700 V 額定連續(xù)電壓120 mΩ 低電阻零反向恢復(fù)…電話咨詢:86-755-83294757
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