FSBB20CH60C是安森美新開發(fā)的先進(jìn)Motion SPM?3系列,用于為空調(diào)等小功率應(yīng)用中的交流電機(jī)驅(qū)動提供非常緊湊且高性能的逆變器。它結(jié)合了優(yōu)化的電路保護(hù),以及與低損耗IGBT匹配的驅(qū)動。集成的欠電壓鎖定和過電流保護(hù)進(jìn)一步增強(qiáng)了系統(tǒng)可靠性。內(nèi)置高速HVIC提供了無光耦單電源IGBT柵極驅(qū)動,進(jìn)一步減小了逆變器系統(tǒng)的整體尺寸。三個單獨(dú)的負(fù)直流端子,讓逆變器的每個相腳電流均可得到監(jiān)控。
FSBB20CH60C 產(chǎn)品特性
使用Al2O3 DBC,實(shí)現(xiàn)非常低的熱電阻
內(nèi)置自舉二極管,可輕松進(jìn)行PCB布局
600V-20A三相IGBT逆變橋(包含用于柵極驅(qū)動和保護(hù)的控制IC)
三個獨(dú)立負(fù)直流鏈路端子,實(shí)現(xiàn)逆變器電流檢測應(yīng)用
單接地電源供電內(nèi)置HVIC
隔離額定值2500Vrms/min
FSBB20CH60C規(guī)格
系列: Motion SPM? 3
類型: IGBT
配置: 3 相
電流: 20 A
電壓: 600 V
電壓 - 隔離: 2500Vrms
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: 27-PowerDIP 模塊(1.205",30.60mm)
FSBB20CH60C 應(yīng)用
運(yùn)動控制
家電設(shè)備/工業(yè)電機(jī)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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