商品名稱:SPC58NH92C5RMI0Y
數(shù)據(jù)手冊:SPC58NH92C5RMI0Y.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:386-FBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
SPC58NH92C5RMI0Y 是 32 位 Power Architecture 汽車 MCU,三 z4 內核,200 MHz,10 MBytes 閃存,HSM,ASIL-D。
SPC58NH92C5RMI0Y 是高性能 e200z4 三核、32 位 Power Architecture 技術 CPU,內核頻率高達 200 MHz。
產(chǎn)品屬性
核心處理器:e200z4
內核尺寸:32 位三核
速度:200MHz
連接:eMMC/SD/SDIO、I2C、LINbus、PSI5、SPI、UART/USART
外設:DMA、POR、WDT
I/O 數(shù)量:205
程序存儲器大?。?0MB(10M x 8)
程序存儲器類型:FLASH
EEPROM 大?。?56K x 8
RAM 大小:1.25M x 8
電壓 - 電源(Vcc/Vdd):3V ~ 5.5V
數(shù)據(jù)轉換器:A/D 96x10/12b SAR
振蕩器類型:外部,內部
工作溫度:-40°C ~ 125°C (TA)
產(chǎn)品特性
高性能 e200z4 三核:
32 位電源架構技術 CPU
內核頻率高達 200 MHz
可變長度編碼 (VLE)
浮點運算、端到端糾錯
外部低壓電源(1.2V)
10496 KB(10240 KB 代碼閃存 + 256 KB 數(shù)據(jù)閃存)片上閃存
1088 KB 片上通用 SRAM(此外還有 192 KB 內核本地數(shù)據(jù) RAM)
224 KB HSM 專用閃存(192 KB 代碼 + 32 KB 數(shù)據(jù))
多通道直接內存訪問控制器(eDMA)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Renesas
144-LQFP
2000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 144-LFQFP(20x20)
Renesas
144-LQFP
2000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 144-LFQFP(20x20)
Renesas
100-LQFP
2000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 100-LFQFP(14x14)
Renesas
100-LQFP
1000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 100-LFQFP(14x14)
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意法半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STM32FEBKC6T6A
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STGIPNS4C60T-H是一款緊湊型高性能交流電機驅動器,采用簡潔卻堅固的設計。由六個帶續(xù)流二極管的IGBT和三個用于柵極驅動控制的半橋HVIC組成,具有低電磁干擾(EMI)特征和經(jīng)過優(yōu)化的開關速度。其特點和主要規(guī)格如下:特點包含用于柵極驅動控制IC和續(xù)流二極管的IPM 3 A、600…STGY40NC60VD
STGY40NC60VD是一款N溝通 50A-600V的IGBT,適用于需要高電流和高頻率操作的應用場景。STGY40NC60VD適用于需要高電流和高頻率操作的應用場景,如工業(yè)控制、電機驅動、電力轉換等。STGY40NC60VD的主要規(guī)格如下:IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電…STGB10NC60HDT4
STGB10NC60HDT4采用先進的PowerMESH技術,確保在開關性能和低導通狀態(tài)行為之間取得良好的平衡。該技術使得STGB10NC60HDT4在導通時的電壓降(VCE(sat))較低,且沒有交叉?zhèn)鲗У南右?,恢復特性非常軟且快?。其技術規(guī)格和應用領域如下:技術規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極…電話咨詢:86-755-83294757
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