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IXTY02N120P-TRL是 IXYS 推出的一款 N 溝道 MOSFET，采用 TO-252-3（DPAK）封裝，適用于高壓開關、電源管理及工業(yè)控制等應用。該器件具有 1200V 耐壓 和 200mA 連續(xù)漏極電流，采用金屬氧化物半導體技術，提供 低導通電阻和快速開關性能，適用于 高電壓、低電流 的功率轉(zhuǎn)換電路。

IXTY02N120P  產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: DPAK-3 (TO-252-3)

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流: 200 mA

Rds On-漏源導通電阻: 75 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 33 W

IXTY02N120P 特點

國際標準封裝

動態(tài)dv/dt額定值

低RDS(on)和Qg

雪崩額定值

低封裝電感

IXTY02N120P 應用

直流-直流轉(zhuǎn)換器

電池充電器

開關模式和諧振模式電源供應器

燈具鎮(zhèn)流器

交流和直流電機驅(qū)動器

機器人和伺服控制

激光驅(qū)動器

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