明佳達公司供應(yīng)，收購內(nèi)存IC IS43LD32128B-18BLI、IS43LD32128B-18BPLI 動態(tài)隨機存取存儲器 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz供求型號：IS43LD32128B-18BLI、IS43LD32128B-18BPLI批次：新封裝：134-TFBGA、168-VFBGA長期高價現(xiàn)金回收個人和工廠庫存電子元件，只回收…
明佳達公司供應(yīng)，收購內(nèi)存IC IS43LD32128B-18BLI、IS43LD32128B-18BPLI 動態(tài)隨機存取存儲器 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz
供求型號：IS43LD32128B-18BLI、IS43LD32128B-18BPLI
批次：新
封裝：134-TFBGA、168-VFBGA
長期高價現(xiàn)金回收個人和工廠庫存電子元件，只回收正規(guī)渠道貨源，如代理商、貿(mào)易商、終端工廠等。
產(chǎn)品介紹：
IS43LD32128B-18BLI、IS43LD32128B-18BPLI是 4Gbit CMOS LPDDR2 DRAM。該器件由 8 組 32 位的 16 兆字組構(gòu)成。該產(chǎn)品采用雙數(shù)據(jù)速率架構(gòu)來實現(xiàn)高速運行。雙數(shù)據(jù)速率架構(gòu)本質(zhì)上是一種 4N 預(yù)取架構(gòu)，其接口設(shè)計用于在 I/O 引腳上每個時鐘周期傳輸兩個數(shù)據(jù)字。該產(chǎn)品提供與時鐘上升沿和下降沿完全同步的操作。數(shù)據(jù)路徑采用內(nèi)部流水線和 4n 位預(yù)取，以實現(xiàn)極高的帶寬。
產(chǎn)品屬性
存儲器類型： 易失
存儲器格式： DRAM
技術(shù)： SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
存儲容量： 4Gb
存儲器組織：128M x 32
存儲器接口： HSUL_12
時鐘頻率； 533 MHz
寫周期時間 - 字，頁： 15ns
訪問時間： 5.5 ns
電壓 - 供電：1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V
工作溫度： -40°C ~ 85°C（TC）
安裝類型： 表面貼裝型
有多余庫存需處理的，歡迎致電聯(lián)系陳先生：
QQ：1668527835
電話：13410018555
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