Kingston 的離散式低功率雙倍數(shù)據傳輸率 4 (LPDDR4) 動態(tài)隨機存取記憶體 (DRAM) 旨在滿足嵌入式應用的需求，并提供具有較低功耗的高速選項。LPDDR4 是專為智慧型手機、平板電腦、筆記型電腦等行動裝置的低功耗而設計的 DRAM。它在數(shù)據傳輸速率、能源效率、整體效能方面，…
Kingston 的離散式低功率雙倍數(shù)據傳輸率 4 (LPDDR4) 動態(tài)隨機存取記憶體 (DRAM) 旨在滿足嵌入式應用的需求，并提供具有較低功耗的高速選項。LPDDR4 是專為智慧型手機、平板電腦、筆記型電腦等行動裝置的低功耗而設計的 DRAM。它在數(shù)據傳輸速率、能源效率、整體效能方面，比其前身 (LPDDR3) 有了顯著的改進。LPDDR4 以更高的頻率運作，可實現(xiàn)更快的數(shù)據存取、更佳的多工處理能力，同時消耗更少的電量，這對于延長可攜式裝置的電池續(xù)航力至關重要。此記憶體技術融合了晶片上終端 (ODT)、深度省電模式、更有效率的訊號介面等功能，可在不影響效能的情況下減少能源消耗，使其成為現(xiàn)代行動運算平臺的理想選擇。
類型：SDRAM - LPDDR4
存儲容量：8 Gbit
數(shù)據總線寬度：64 bit
最大時鐘頻率：1.6 GHz
封裝 / 箱體：FBGA-200
組織：64 M x 8
訪問時間：3.5 ns
工作溫度：- 25°C 至 + 85°C
特性：
低功耗
每 Bank 更新
部分陣列自動重新整理 (PASR)
Bank 遮罩
分段遮罩
透過內建的溫度感測器，進行自動溫度補償自動重新整理 (ATCSR)
支援所有 Bank 自動重新整理和定向每 Bank 自動重新整理
雙倍數(shù)據傳輸率架構；每個時脈週期有兩次數(shù)據傳輸
差動式時脈輸入：CK_t 和 CK_c
雙向差動數(shù)據選通：DQS_t 和 DQS_c
在 CK_t 正緣和負緣輸入命令；參照 DQS_t 邊緣的數(shù)據和數(shù)據遮罩
DMI 引腳支援寫入數(shù)據遮罩和 DBIdc 功能
商業(yè)級工作溫度范圍：0°C 至 +70°C
工業(yè)級工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
應用：
智慧型手機與平板電腦
手持式裝置
筆記型電腦和超薄筆電
穿戴式裝置
汽車
虛擬實境 (VR) 和擴增實境 (AR)
數(shù)位相機和攝錄影機
網路設備
工業(yè)和嵌入式系統(tǒng)
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