商品名稱:PSMN4R2-80YSEX
數(shù)據(jù)手冊(cè):PSMN4R2-80YSEX.pdf
品牌:Nexperia
年份:23+
封裝:LFPAK56
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
PSMN4R2-80YSEX 80V MOSFET建議用于高效率開(kāi)關(guān)和高可靠性應(yīng)用。NextPower MOSFET具有50%低RDS(on) 和強(qiáng)大的抗雪崩能量。這些器件非常適用于電源、電信、工業(yè)設(shè)計(jì)、USB-PD Type-C充電器和適配器,以及48V直流-直流適配器。
規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):80 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):170A(Ta)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):4.2 毫歐 @ 25A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3.6V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):110 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):8000 pF @ 40 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):294W(Ta)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8
封裝/外殼:SOT-1023,4-LFPAK
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車(chē)級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 Nexperia是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商。公司于2017年初獨(dú)立。Nexperia極為重視效率,生產(chǎn)大批量性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件,每年生產(chǎn)1,000多億件性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合,能夠滿足汽車(chē)…
PSC2065JJ
PSC2065JJ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-263-2 通孔功率塑料封裝中,具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復(fù)開(kāi)關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065JJ 的特點(diǎn)零正向和反向恢復(fù)降低系統(tǒng)成本與溫度無(wú)關(guān)的快速平穩(wěn)開(kāi)關(guān)…PSC2065LQ
PSC2065LQ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-247-2 通孔功率塑料封裝中,具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復(fù)開(kāi)關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065LQ 的特點(diǎn)零正向和反向恢復(fù)降低系統(tǒng)成本與溫度無(wú)關(guān)的快速平穩(wěn)開(kāi)關(guān)…GAN039-650NTBZ
GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212i倒裝封裝,具有低電感、低開(kāi)關(guān)損耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):58.5A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,…GAN039-650NBBHP
GAN039-650NBBHP是一款650 V、33mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212封裝。該器件采用無(wú)引線接合,可優(yōu)化散熱和電氣性能,提供共源共柵配置,無(wú)需復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)器和控制。GAN039-650NBBHP的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電…GANB4R8-040CBAZ
GANB4R8-040CBAZ雙向GaN FET是一款40V、4.8mΩ 雙向氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT)。GANB4R8-040CBA是一款常閉emode FET,具有出色的性能。特性:增強(qiáng)模式-常關(guān)電源開(kāi)關(guān)雙向器件超高開(kāi)關(guān)速度能力超低導(dǎo)通電阻符合RoHS指令,無(wú)鉛,符合REACH標(biāo)準(zhǔn)高效率和高功率密…GANE3R9-150QBAZ
GANE3R9-150QBAZ氮化鎵 (GaN) FET是一款通用150V、3.9mΩ 氮化鎵 (GaN) FET。GANE3R9-150QBA是一款常閉電子模式器件,具有出色的性能和非常低的導(dǎo)通電阻。Nexperia GANE3R9-150QBA采用超薄四方扁平無(wú)引線封裝 (VQFN)。特性:增強(qiáng)模式-常關(guān)電源開(kāi)關(guān)超高頻開(kāi)關(guān)能力無(wú)體二極…電話咨詢:86-755-83294757
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