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BUK7J1R4-40HX N通道40V Trench 9 MOSFET具有較高的功率密度和效率，RDSon范圍為1.4 mΩ，具有出色的單觸發(fā)或重復性雪崩性能。該MOSFET符合AEC-Q101標準，且超越了這一國際汽車級標準的要求，

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：120A（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.4 毫歐 @ 25A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：126 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：+20V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：8155 pF @ 25 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：395W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：LFPAK56; Power-SO8

封裝/外殼：SOT-1023，4-LFPAK

基本產品編號：BUK7J1

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