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產(chǎn)品分類

AI 處理器

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商品型號(hào):IMWH170R450M1

商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管

品牌:INFINEON

年份:24+

封裝:TO-247-3

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

聯(lián)系人:

聯(lián)系郵箱:

聯(lián)系電話:

公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號(hào)
IMWH170R450M1
封裝
TO-247-3
描述
采用TO-247-3 HCC封裝的1700 V, 450 mΩ CoolSiC MOSFET

產(chǎn)品描述

IMWH170R450M1是一個(gè)采用TO247-3-HCC封裝的1700 V, 450 mΩ CoolSiC? MOSFET,適合連接到DC鏈路電壓600 V至1000 V的單端反激式輔助電源,以及各種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。主要特性包括由反激式控制器直接驅(qū)動(dòng),不需要柵極驅(qū)動(dòng)器IC。XT互連技術(shù)可提供出色的熱性能,高爬電距離封裝可提高可靠性。


產(chǎn)品屬性

技術(shù):SiC

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-247-3

晶體管極性:N-Channel

通道數(shù)量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:1.7 kV

Id-連續(xù)漏極電流:10 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:390 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:- 10 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:5.7 V

Qg-柵極電荷:11.7 nC

最小工作溫度:- 55°C

最大工作溫度:+ 175°C

Pd-功率耗散:111 W

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:CoolSiC

系列:1700V SiC

封裝:Tube

商標(biāo):Infineon Technologies

配置:Single

下降時(shí)間:23 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值:0.9 S

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:12 ns

工廠包裝數(shù)量:240

子類別:MOSFETs

晶體管類型:1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:26 ns

典型接通延遲時(shí)間:21 ns


相關(guān)聯(lián)產(chǎn)品

型號(hào)

品牌

封裝

數(shù)量

描述

IMZ120R060M1H

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TO-247-4

3000

1200V、60mΩ、CoolSiC? 碳化硅 MOSFET 晶體管、TO-247-4

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Microchip

D3PAK-3

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IXSH40N120L2KHV

IXYS

TO-247-4L

2000

1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

常見問題

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…

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