商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
采用 TO-247-4 引腳封裝的 IMZA65R007M2H CoolSiC? MOSFET 650 V、7 mΩ G2 在第 1 代技術(shù)優(yōu)勢的基礎(chǔ)上,加快了成本優(yōu)化、高效、緊湊和可靠解決方案的系統(tǒng)設(shè)計。第 2 代產(chǎn)品在硬開關(guān)操作和軟開關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵性能指標(biāo)上都有顯著改進(jìn),適用于所有常見的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級組合。
產(chǎn)品規(guī)格
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: 碳化硅MOSFET
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降時間: 20 ns
Id-連續(xù)漏極電流: 210 A
最大工作溫度: + 175 C
最小工作溫度: - 55 C
安裝風(fēng)格: Through Hole
通道數(shù)量: 1 Channel
封裝 / 箱體: TO-247-4
Pd-功率耗散: 625 W
產(chǎn)品類型: SiC MOSFETS
Qg-柵極電荷: 439 nC
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 8.5 mOhms
上升時間: 41 ns
系列: 650V G2
技術(shù): SiC
商標(biāo)名: CoolSiC
晶體管極性: N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 53 ns
典型接通延遲時間: 22 ns
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Vgs - 柵極-源極電壓: - 18 V, + 18 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5.6 V
潛在應(yīng)用
SMPS
太陽能光伏逆變器
能量存儲和電池形成
UPS
電動汽車充電
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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