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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號(hào):AIMCQ120R080M1T

商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管

品牌:INFINEON

年份:24+

封裝:PG-HDSOP-22

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:2000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

聯(lián)系人:

聯(lián)系郵箱:

聯(lián)系電話:

公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號(hào)
AIMCQ120R080M1T
封裝
PG-HDSOP-22
描述
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/34 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 80 m?

產(chǎn)品描述

AIMCQ120R080M1T是一款1200 V、34A汽車用CoolSiC MOSFET。Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對(duì)OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。


基本參數(shù):

產(chǎn)品:AIMCQ120R080M1T

FET 類型:N 通道

技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)

漏源電壓(Vdss):1200 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):34A(Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V,20V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):100 毫歐 @ 10A,20V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5.1V @ 3.3mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):24 nC @ 20 V

Vgs(最大值):+25V,-10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):671 pF @ 800 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):211W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

等級(jí):汽車級(jí)

資質(zhì):AEC-Q101

安裝類型:表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝:PG-HDSOP-22


應(yīng)用:

車載充電器

DC/DC轉(zhuǎn)換器


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常見問題

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    答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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