商品名稱:智能電源模塊(IPM)
品牌:ON
年份:24+
封裝:SPMCA-27
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
FNB33060T6S:600V,30A,智能電源模塊(IPM),IGBT 三相反相器
型號(hào):FNB33060T6S
封裝:SPMCA-27
類型:智能電源模塊(IPM)
概述:
FNB33060T6S是一款先進(jìn)的Motion SPM?3模塊,為交流感應(yīng)、BLDC和PMSM電機(jī)提供全功能、高性能的逆變器輸出級(jí)。這款模塊集成了內(nèi)置IGBT的柵極驅(qū)動(dòng),可最大程度減少EMI和損耗,同時(shí)還提供多個(gè)模塊上保護(hù)功能,包括欠壓鎖定、過流關(guān)斷、驅(qū)動(dòng)IC的高溫監(jiān)控和故障報(bào)告。內(nèi)置高速HVIC僅需一個(gè)電源電壓,可將傳入的邏輯電平柵極輸入轉(zhuǎn)換為高電壓、高電流驅(qū)動(dòng)信號(hào),從而有效驅(qū)動(dòng)模塊的內(nèi)部IGBT。每個(gè)相位提供單獨(dú)的負(fù)IGBT端子,可支持最廣泛的控制算法。
FNB33060T6S - 產(chǎn)品特征:
600V - 30A三相IGBT逆變器,帶一體化的柵極驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能
低功耗、額定短路IGBT
使用 Al2O3 DBC襯底實(shí)現(xiàn)極低熱阻
內(nèi)置自舉二極管和專用Vs引腳簡(jiǎn)化PCB布局
低壓側(cè)IGBT的獨(dú)立發(fā)射極開路引腳用于三相電流檢測(cè)
單接地電源
LVIC內(nèi)置溫度感測(cè)功能,用于溫度監(jiān)測(cè)
針對(duì)5kHz開關(guān)頻率進(jìn)行優(yōu)化
隔離額定值2500Vrms/1min
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級(jí)結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級(jí)聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場(chǎng)上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號(hào):NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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