FNB35060T6S(Motion SPM?3模塊):600V,50A,智能電源模塊(IPM),IGBT 三相反相器
型號:FNB35060T6S
封裝:SPMQA-27
類型:智能電源模塊(IPM)
概述:
FNB35060T6S是一款先進的Motion SPM?3模塊,為交流感應(yīng)、BLDC和PMSM電機提供全功能、高性能的逆變器輸出級。這款模塊集成了內(nèi)置IGBT的優(yōu)化柵極驅(qū)動,可最大程度減少EMI和損耗,同時還提供多個模塊上保護功能,包括欠壓鎖定、過流關(guān)斷、驅(qū)動IC的高溫監(jiān)控和故障報告。內(nèi)置高速HVIC僅需一個電源電壓,可將傳入的邏輯電平柵極輸入轉(zhuǎn)換為高電壓、高電流驅(qū)動信號,從而有效驅(qū)動模塊的內(nèi)部IGBT。每個相位提供單獨的負(fù)IGBT端子,可支持最廣泛的控制算法。
FNB35060T6S - 產(chǎn)品規(guī)格:
類型:IGBT
配置:三相反相器
電流:50 A
電壓:600 V
電壓 - 隔離:2500Vrms
安裝類型:通孔
封裝/外殼:27-PowerDIP 模塊(1.205",30.60mm)
FNB35060T6S - 產(chǎn)品特征:
600V - 50A三相IGBT逆變器,帶一體化的柵極驅(qū)動器和保護功能
低功耗、額定短路IGBT
采用AlN DBC襯底實現(xiàn)非常低的熱阻
內(nèi)置自舉二極管和專用Vs引腳簡化PCB布局
低壓側(cè)IGBT 的獨立發(fā)射極開路引腳用于三相電流檢測
單接地電源
LVIC內(nèi)置溫度感測功能,用于溫度監(jiān)測
隔離額定值2500 Vrms/1 min
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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