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IMT65R050M2H是一款CoolSiC? 650V G2碳化硅MOSFET，采用TOLL封裝，導(dǎo)通電阻為50mΩ??。該產(chǎn)品是新一代碳化硅MOSFET，旨在利用高性能技術(shù)，克服傳統(tǒng)封裝在熱循環(huán)方面的限制，并優(yōu)化.xt互聯(lián)以降低熱阻抗。

IMT65R050M2H具有出色的性能指標(biāo)（FOMs）、高可靠性和靈活的驅(qū)動(dòng)電壓范圍，且與所有8x8 FETs引腳兼容，改進(jìn)了封裝互聯(lián)，適用于需要高效率和高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景?。

技術(shù)規(guī)格

封裝 / 箱體：HSOF-8

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：48.1 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：62 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 7 V, + 23 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：5.6 V

Qg-柵極電荷：22 nC

工作溫度：- 55°C 至 + 175°C

Pd-功率耗散：237 W

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時(shí)間：4.4 ns

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

上升時(shí)間：7.6 ns

晶體管類型：1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：13.5 ns

典型接通延遲時(shí)間：8.1 ns

• 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。