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IMBG65R060M2H是一款CoolSiC? 650 V G2 碳化硅MOSFET，采用TO-263-7封裝??。IMBG65R060M2H具有出色的RDS(on)特性，支持無極驅(qū)動(dòng)電壓，具有最佳的免疫能力，防止開啟效應(yīng)?。此外，IMBG65R060M2H支持單極驅(qū)動(dòng)（VGSoff=0），適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景?。

IMBG65R060M2H 規(guī)格

封裝 / 箱體：PG-TO263-7

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：34.9 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：73 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 7 V, + 23 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：5.6 V

Qg-柵極電荷：18 nC

工作溫度：- 55°C 至 + 175°C

Pd-功率耗散：148 W

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時(shí)間：4.8 ns

封裝：Reel

產(chǎn)品：SiC MOSFETS

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

上升時(shí)間：5.6 ns

系列：650V G2

晶體管類型：1 N-Channel

類型：CoolSiC MOSFET

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：13.7 ns

典型接通延遲時(shí)間：6.3 ns

• 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來溝通確認(rèn)。

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