商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-HDSOP-22
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
IMDQ75R025M2H是(Infineon)推出的一款CoolSiC? 750V G2碳化硅MOSFET,其設(shè)計(jì)具有高效率,能強(qiáng)力防止單極柵極驅(qū)動(dòng)的寄生導(dǎo)通,以及具有可靠性。這款CoolSiC? 750V G2 MOSFET改進(jìn)了柵極控制,使得最大漏-源導(dǎo)通電阻在25 m?以下,讓開關(guān)損耗也尤為突出。
主要規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):840 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):70A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,20V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):22 毫歐 @ 36.7A,20V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5.6V @ 8.1mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):49 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+23V,-7V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1729 pF @ 500 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):272W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-HDSOP-22
目標(biāo)應(yīng)用
IMDQ75R025M2H適用于以下應(yīng)用領(lǐng)域:
? 固態(tài)繼電器和斷路器
? 電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施
? 太陽(yáng)能光伏逆變器和 UPS
? 儲(chǔ)能和電池化成
? 電信和服務(wù)器 SMPS
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…ISZ056N03LF2S
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ISZ033N03LF2S是(Infineon)推出的109 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。以下是其關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):20A(Ta),…IPD030N03LF2S
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IPD040N03LF2S是一款73 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。該設(shè)備具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。IPD040N03LF2S典型應(yīng)用包括開關(guān)模式電源 (SMPS)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電設(shè)…IPT65R025CM8
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